Introduzione Sic Refractory Plate
Alla fine degli anni ’70 e all’inizio degli anni ’80, la Cina iniziò a sviluppare lastre refrattarie SIC e ottenne alcuni risultati. Dal 1998, la nostra fabbrica ha studiato e discusso il processo di produzione delle lastre di carburo di silicio e acquisito una certa esperienza. 1. Selezione e lavorazione del materiale grezzo Molti produttori nazionali ed esteri utilizzano materie prime di carburo di silicio nero, che sono economiche e hanno una buona resistenza all’ossidazione. La scelta della dimensione delle particelle di carburo di silicio ha una grande influenza sulla resistenza all’ossidazione del prodotto. Secondo la ricerca dell’Università di Hunan, più fine è la materia prima, più facile sarà l’ossidazione. La dimensione delle particelle di carburo di silicio selezionata dalla nostra fabbrica è la seguente:
Grain composition | Screen size | % | Screen size | % | Screen size | % | Screen size | % | Screen size | % |
16# | >12 | 0 | 12-16 | 20 | 16-18 | 50 | 20-24 | 78 | <24 | 4 |
24# | >16 | 0 | 16-24 | 20 | 21-30 | 50 | 30-36 | 76 | <36 | 4 |
80# | >60 | 0 | 60-80 | 25 | 80-100 | 45 | 100-120 | 73 | <120 | 4 |
150# | >80 | 0 | 80-150 | 15 | 150-180 | 35 | 180-240 | 65 | <280 | 4 |
2.Preparazione del bianco Poiché il carburo di silicio ha lo svantaggio di essere facilmente ossidato, e considerando la capacità della piastra refrattaria SIC di avere un’elevata sollecitazione termica e resistenza alla flessione contro il gradiente termico, aumentare opportunamente la granulometria critica della piastra in tasso di ossidazione e migliorare la sua stabilità termica. 3.Stampaggio Il processo di formatura semisecco per stampi in acciaio viene applicato alla pressa idraulica ad alto tonnellaggio e alla macchina di formatura a vibrazione, la pressione di formatura deve essere di 600-800 kgfcm2. Al fine di ridurre la deviazione della trasmissione della pressione durante il processo di pressatura, utilizzare stampi di lubrificazione a cherosene volatile per ridurre l’attrito durante lo stampaggio, la densità del corpo embrionale formato è necessaria per raggiungere 2,6 g / cm3, l’errore dimensionale del prodotto deve essere controllata entro ± 0,5% e la planarità deve essere controllata entro l’intervallo 0,2-0,5%.
Caratteristiche Piatto refrattario Sic
4. Essiccazione e cottura La lastra di carburo di silicio viene essiccata dall’essiccatore a ciclone introdotto per fare in modo che l’umidità residua del corpo dell’embrione raggiunga l’1%. Il sistema di essiccazione di vari corpi embrionali è il seguente:
Thickness | 3-5cm | <3cm | >5cm |
Drying temperature | 90-105 | 105 | Dry with cold air for 2-4 hours, then dry with hot air, temperature is 90-100 ° C |
Drying time:hour | 8-12 | 4-8 | 12-16 |
5. Dati tecnici principali I dati tecnici principali della piastra refrattaria SIC sono i seguenti:
Item | Unit | Data |
Max. working temperature | ℃ | 1380 |
Density | g/cm3 | ≥3.02 |
Porosity | % | <0.1 |
Bending strength | MPa | 250(20℃) |
Bending strength | MPa | 280(1200℃) |
Modulus of elasticity | GPa | 330(20℃) |
Modulus of elasticity | GPa | 300(1200℃) |
Thermal conductivity | W/m.k | 45(1200℃) |
Coefficient of thermal expansion | K-1×10-6 | 4.5 |
Rigidity | 13 | |
Acid alkaline-proof | Excellent |
La pratica ha dimostrato che le lastre di carburo di silicio combinate con carburo di silicio nero e ceramica, utilizzando un processo di stampaggio semi-secco, le prestazioni del prodotto possono raggiungere il livello dell’indice di prestazione dei prodotti stranieri, la lastra del forno introdotta nella nostra fabbrica ha un buon effetto.
Scheda Tecnica della Piastra Refrattaria Sic
Item | Unit | Data |
Max Working temperature | ℃ | 1380 |
Density | g/cm³ | ≥3.02 |
Porosity | % | <0.1% |
Bending Strength | Mpa | 250(20℃) |
Mpa | 280(1200℃) | |
Modulus of elasticity | Gpa | 330(20℃) |
Gpa | 300(1200℃) | |
Thermal conductivity | W/m.k | 45(1200℃) |
Coefficient of thermal expansion | K-1×10-6 | 4.5 |
Rigidity | 13 | |
Acid alkaline-proof | Excellent |
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